Un test de utilidad exhibe que la remembranza interna del iPhone 6s Plus es demasiado rápida

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Las versiones “S” que Apple® lanza tan revisión de los iPhoneacostumbra ser indicativo de mejorías en el capítulo de prestaciones. Así ha sucedido inclusive la fecha y el iPhone 6s confirma nuevamente la tendencia del fabricante. Gran aviso de sus componentes han resultado mejorados tales tan el CPU o la cámara. Sin embargo, una prueba de utilidad además nos indica que la remembranza interna ha sufrido cambios que repercuten demasiado favorablemente en el utilidad del smartphone.

El experimento ha resultado llevado a cabo por el obtener de AnandTech, el cual ha caseta a prueba una unidad del iPhone 6s Plus. Estas primeras pruebas se han centrado en un parámetro que inclusive hará relativamente exiguo asamblea no había tenido gran repercusión, inconveniente que por su repercusión en la pericia de utilización de este persona de gadgets exiguo a exiguo va poseyendo mas importancia. Nos referimos a la celeridad de escritura y lectura de la remembranza interna.

Los benchmarks revelan que el chip A9 de los iPhone 6s trabaja a 1,85GHz

iPhone 6s con CPU A9Mejoras técnicas en la remembranza del iPhone 6s

Así, AnandTech nos expone de un metodo demasiado gráfico cuál ha resultado la mejoría del iPhone 6s Plus en este ámbito. Tanto que podemos visualizar cómo la remembranza interna incluida por el phablet de la firma es notablemente mas veloz que la introducida en la previo generación de dispositivos de la manzana mordida. Y es que el fabricante habría optado por un mas reciente aparato y controlador de memoria, una evolución del incorporado en los MacBook, un aparato híbrido de remembranza NAND SLC y TLC.

Algunos iPhone 6s están experimentando inconvenientes de sobrecalentamiento

El resultado de Apple® lo podemos apreciar en una de las tantas gráficas expuestas en la posterior galería. La primera expone la celeridad de lectura secuencial en bloques de 256 KB de la memoria. Los resultados aire de 402 MB/s, un referencia singularmente elevado si tenemos en recuento los 253 MB/s del iPhone 6 Plus y los 209 MB/s del Samsung® Galaxy™ S6.iPhone 6s batería

Resultados significativos

Los datos referentes a la remembranza interna además se refieren a la celeridad de escritura secuencial, adonde la gráfica exhibe un resultado de 163 MB/s. Nuevamente apelamos a la comparación con los del iPhone 6 Plus y Samsung® Galaxy™ S6, tan se puede apreciar en la tabla, entre otros tantos modelos.

Los iPhone 6s y iPhone 6s Plus lo consiguen de nuevo: baten récords de ventas

Podéis consultar el resto de datos y resultados en las otras gráficas proporcionadas por AnandTech. A privación de mas recientes pruebas que certifiquen estos resultados, íntegramente parece indicar que Apple® ha mejorado notablemente en un capítulo adonde Samsung® había resaltado singularmente tras poner en práctica su última tecnología propietaria UFS. ¿En qué se notará esta mejoría de la remembranza interna del iPhone 6s? Uno de los puntos será en la propia pericia de usuario, inconveniente además en la transferencia de archivos.

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