Hynix prepara remembranza interna de mas aptitud para smartphones

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Este año hemos popular los primeros smartphones(teléfonos inteligentes) con memoria interna de 256 GB, Apple entre éstos con sus iPhone 7 y iPhone 7 Plus. Sin embargo, esta carrera por agrandar la aptitud del aparato de provisión alumno de este persona de dispositivos no se detiene y SK Hynix ya posee de la tecnología y el método de producción para ir más allá. La compañía no ha indicado la capacidad, inconveniente sí cuándo estarán disponibles, a lo largo de la 2ª aviso de 2017.

Aunque aún existen modelos con remembranza interna de 8 GB, susceptibles a quedarse carente remembranza rápidamente y causar numerosos problemas a sus propietarios, por abundancia las versiones estándar empiezan a situarse en los 32 GB. Sin embargo, los modelos más destacados de la grado adhesión han logrado cotas inclusive hará exiguo impensables a lo largo de este año. Los casos más extremos aire los de aquellos smartphones(teléfonos inteligentes) con remembranza interna de 256 GB.

Memoria interna para smartphones(teléfonos inteligentes) por además de los 256 GB

Si don a lo largo de la primera aviso del próximo año se estandarizarán modelos con más remembranza y aquellos modelos premium con 256 GB se harán cada ocasión más comunes, no pasivo extrañarnos si de cara a mitad de 2017 los creadores meten chips de remembranza de mas grande capacidad.Memoria interna iPhone 6s

Y es que SK Hynix, 1 de los creadores destacados y protagonistas en este sector, ya posee entre manos una mas reciente evolución de la tecnología que hará factible que dispongamos remembranza flash de similar capacidad. Según podemos acertar en provecho especializados en Corea del Sur, la compañía ya prepara chips de remembranza NAND Flash 3D de 72 capas. Una evolución que, principalmente, aumentará la densidad de datos de los chips de memoria. De este modo, se hará factible la introducción de remembranza de mas grande aptitud en un chip del semejante tamaño o inclusive más pequeño, condición indispensable en un smartphone(teléfono inteligente) habida recuento de la carrera por la miniaturización de los componentes.

Cabe resaltar la gran evolución en este persona de remembranza a lo largo de los últimos años. Y es que desde que los creadores adoptaran la tecnología NAND 3D de 24 capas en 2013, desde entonces han adulterado por las 32, 48 y 64 capas que hoy en dia utiliza, por ejemplo, Samsung® y Toshiba.

Memoria físicamente más pequeña, inconveniente más eficiente y de mas grande capacidad

No hay mas grandes detalles al respecto, inconveniente es de abandonarse que el movimiento de Hynix haga acudir a los smartphones(teléfonos inteligentes) de 2017 remembranza que don podría superar los 480 o 512 GB. Del semejante modo, la optimización del proceso de fabricación fomentaría la fabricación de memorias más eficientes desde el acierto de vista energético y habrá que visualizar si aumenta su rendimiento.

Por ahora, Samsung® posee de sus memorias con tecnología UFS 2.1 que se posicionan hoy en dia tan las más rápidas del mercado, tal y tan ha demostrado el fabricante en su propio Samsung® Galaxy™ S7.

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